Samsung изнася обикновената DRAM, за да прави HBM

Samsung е решила да не разширява повече собствените си линии за обикновена памет и да прехвърли целия ръст на производството на външни партньори, за да освободи капацитет за HBM — паметта, която върви в AI ускорителите. Новината е на южнокорейското издание The Elec от 17 септември 2026 г. и вече обикаля света, включително през GSMArena.

Едно уточнение веднага, защото по пътя се загуби: става дума за сглобяването на модулите, не за леярните, които правят самите чипове. DDR5 модулът е печатна платка с вече капсуловани DRAM чипове върху нея, монтирани по технология за повърхностен монтаж — процес доста по-прост от съвременното advanced packaging и точно затова удобен за изнасяне. Пластините продължава да реже Samsung.

Кой поема сглобяването

Трите партньора са OSAT компании (външно капсуловане и тестване), а не конкуренти на леярните:

• Dreamtech — заводът в Нойда, Индия, тръгна в серийно производство през ноември 2024 г. Първият цех, който преди сглобяваше компоненти за смартфони, се преоборудва и целта е над 50 милиона модула годишно, като разширението трябва да е готово до септември 2026 г.
• Hanyang Digitech — оптимизира съществуващия си завод за модули във Виетнам. През първата половина на 2026 г. компанията е инвестирала 31,5 млрд. вона (близо 20 млн. евро) в нови машини и автоматизация.
• SFA Semicon — получава оборудване за тестване и сглобяване на DDR5 директно от кампуса на Samsung в Онянг. Филипинският завод влиза в експлоатация на два етапа: ноември 2026 г. и второто тримесечие на 2027 г. Компанията прави и fine-pitch BGA капсуловане в Чонан.

Извън схемата остават DDR4, LPDDR4, NAND флаш и UFS — тях Samsung ще продължи да сглобява сама, в новия си завод във Виетнам. HBM също не се изнася никъде: тя е причината за цялото упражнение.

Защо HBM изяжда всичко

Логиката е проста аритметика на маржа. В Онянг Samsung започва тепърва — строителството стартира този месец — сграда за около 6 трилиона вона (близо 3,8 млрд. евро), посветена на памет с висока пропускателна способност.

Снимка: Samsung Semiconductor

По официалните данни на Samsung HBM4 работи при до 13 Gbps на пин и достига до 3300 GB/s пропускателна способност — около 2,7 пъти повече от предишното поколение. Интерфейсът минава на 2048 I/O пина вместо 1024, енергийната ефективност се подобрява с около 40%, а чиповете са на 1c DRAM с базов кристал от 4-нанометров процес. Един такъв стек струва многократно повече от еквивалентния обем обикновена DDR5 и се продава на клиенти, които не се пазарят.

Когато една пластина може да стане или HBM за център за данни, или DDR5 за настолен компютър, изборът е предварително направен.

Какво значи това за цените

Точно тук новината опира до портфейла ви. Според доклад на DigiTimes, цитиран от MacRumors, през първото тримесечие на 2027 г. DRAM ще се търгува на близо 2 долара за гигабит, а NAND — на около 0,33 долара за гигабит. Това е скок от 30 до 40% спрямо третото тримесечие на 2026 г.

Ефектът вече се вижда. От юни 2026 г. Apple вдигна Mac и iPad с между 100 и 300 долара в САЩ, а iPhone 18 Pro стартира със 100 долара по-висока цена в САЩ. AMD пък подготвя ръст от около 10% при видеокартите, чипсетите и процесорите — по същата причина.

Изнасянето на сглобяването няма да намали цените, но поне запазва обемите. Ако Samsung просто беше свила производството на обикновени модули, дефицитът щеше да е още по-остър. Междувременно и капацитетът за модули расте: Micron наскоро показа първия 512 GB DDR5 модул за сървъри при 9200 MT/s.

Не само паметта

Изкривяването не е само в DRAM. На 18 септември The Register съобщи, че Marvell натиска GlobalFoundries да усили производството на пластини от силиций-германий в завода във Върмонт — за оптика, която да свързва AI ускорителите. Технологията е валидирана до 200 Gbps на лента и обслужва трансивъри от 1,6 Tbps, с пътна карта към 3,2 Tbps. Причината е същата: медта опира до физиката си отвъд 400 Gbps на лента, при обхват най-много около 1,25 метра.

Nvidia от своя страна вля по 2 млрд. долара в Lumentum и Coherent, а Coherent обяви четирикратно увеличение на производството на индиев фосфид в Шърман, Тексас.

Заключение

Ходът на Samsung е рационален и предвидим: по-скъпият продукт печели вътрешния капацитет, по-простата работа излиза навън. Рисковете са в изпълнението — три завода в три държави, с етапи, разпръснати от ноември 2026 г. до средата на 2027 г., и всяко забавяне се усеща директно на пазара на DDR5.

За потребителя изводът е скучен, но практичен: ако планирате upgrade на памет или покупка на компютър с повече RAM, първото тримесечие на 2027 г. не изглежда добър момент да чакате.