Samsung дава половината 4 nm капацитет за HBM4

Samsung Foundry заделя около половината от целия си 4 nm капацитет за производство на базови чипове (base dies) за паметта HBM4, съобщава TechPowerUp. Процесът, известен вътрешно като SF4, вече не обслужва предимно външни клиенти — най-големият му потребител е самото подразделение за памет на Samsung.

Какви са числата

Основната линия е във фабриката в Пхьонтхек, чийто месечен капацитет е около 30 000 пластини. От тях над 15 000 отиват за вътрешните нужди по HBM4, писа още през март TrendForce. Натовареността на тези линии е минала 90%, а разпределението се очаква да се запази поне до края на 2026 г.

Ефектът върху цените е предвидим. По данни на TrendForce Samsung е вдигнала цените на логическите чипове за HBM4 с 40–50% от началото на 2026 г., а 4 nm линията върви на пълен капацитет. Според същите източници това може да изкара foundry подразделението на печалба още през четвъртото тримесечие — след години на загуби.

Защо базовият чип изведнъж стана толкова важен

Досега базовият чип под стека HBM се правеше на същия DRAM процес като самите слоеве памет. При HBM4 това се променя: базата минава на логически процес и започва да носи функционалност, която преди беше в изчислителния чип.

Клиентите искат в нея контролери на паметта и PHY блокове — тоест интерфейсът към ускорителя се мести долу, в паметта. Печалбата е двойна: освобождава се площ върху скъпия compute чиплет и връзката става по-къса, значи по-икономична. Точно затова NVIDIA и AMD настояват базовите чипове да идват от истинска foundry линия, а не от фабрика за памет.

С други думи, HBM4 вече не е просто памет, а полупроводников продукт с два различни процеса в един стек. Който държи и двата, има предимство — и Samsung е единствената от тримата големи производители на памет със собствена модерна логическа линия.

Какво представлява HBM4 на Samsung

Компанията обяви серийно производство на 12 февруари 2026 г. и заяви пропускателна способност от 11,7 Gbps на пин при индустриален стандарт от 8 Gbps, с възможност за настройка до 13 Gbps. Това дава 3,3 TB/s на стек — около 2,7 пъти повече от HBM3E. Енергийната ефективност е с 40% по-добра, а отвеждането на топлина — с 30%, посочва Samsung Semiconductor. Вариантите с 12 слоя са 24 и 36 GB, а 16-слойните ще стигнат до 48 GB.

Снимка: Samsung Semiconductor

Следващата стъпка, HBM4E, ползва същия базов процес и достига до 16 Gbps. Тоест заетият 4 nm капацитет няма да се освободи и през 2027 г.

Според съобщения от март Samsung ще е ексклузивен доставчик на HBM4 за първото поколение AI чип на OpenAI, наречен Titan, като по обем OpenAI се нарежда трети след NVIDIA и AMD.

Какво означава това за останалите клиенти

4 nm е зрял и относително евтин процес — точно този, на който се правят много мобилни SoC-ове, мрежови чипове и малки ускорители. Половината от него вече е резервирана вътрешно. Който търси свободни пластини, ще ги намери по-скъпо или ще чака, а най-новите процеси са още по-натоварени — виждаме го и при прехода към 2 nm при мобилните чипове.

Че тесното място вече е паметта, а не изчислението, личи и от Китай. TechPowerUp съобщава, че Huawei подготвя 160 000 ускорителя Ascend 950DT за център за данни на DeepSeek в Уланчаб, Вътрешна Монголия, с мощност около 1 GW. Всеки 950DT носи 144 GB собствена памет HiZQ 2.0 при 4 TB/s и дава 1 PFLOPS при FP8. Изпълнението на поръчката може да отнеме над година — именно заради недостиг на памет. Междувременно строежът на такива обекти опира и в друго: Тайланд замрази 166 проекта за центрове за данни.

Заключение

Разпределението на капацитет е скучна тема, докато не започне да определя кой ще има ускорители. Ако числата се потвърдят, Samsung е решила, че 15 000 пластини месечно струват повече като база за HBM4, отколкото като поръчки за външни клиенти. Обратната страна е, че при спад в търсенето на AI памет тази линия няма къде да се пренасочи бързо. Дали залогът е верен, ще се види в отчета за четвъртото тримесечие.